| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if: | 1.05V @ 4A |
|---|---|
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס): | 200V |
| מארז התקן של הספק: | D-Pak |
| מְהִירוּת: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| סִדרָה: | - |
| זמן שחזור לאחור (trr): | 30ns |
| אריזה: | Tube |
| אריזה / מארז: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| טמפרטורת פעולה - צומת: | 175°C (Max) |
| סוג השמה: | Surface Mount |
| סוג דיודה: | Standard |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr: | 3µA @ 200V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io): | 4A |
| קיבול @ Vr, F: | - |
STTH4R02RL
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB
STTH4R02FP
DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP
STTH4L06Q
DIODE GEN PURP 600V 4A DO15
STTH4L06RL
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
STTH4R025
STTH4R02B-TR
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
STTH4L06QRL
DIODE GEN PURP 600V 4A DO15
STTH4R02BY-TR
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
STTH4R02D
DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC
STTH4R02
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB
SIT1602BC-33-30E-24.000000T
-20 TO 70C, 5032, 50PPM, 3.0V, 2
SIT1602BC-71-18E-40.000000D
-20 TO 70C, 2016, 20PPM, 1.8V, 4
SIT1602BI-33-28S-33.000000Y
-40 TO 85C, 5032, 50PPM, 2.8V, 3
SIT8008BI-23-33E-80.000000D
OSC MEMS 80.0000MHZ LVCMOS SMD
SIT1602ACE12-18E-75.000000D
OSC XO 1.8V 75MHZ OE
SIT1602BI-71-30N-66.660000E
-40 TO 85C, 2016, 20PPM, 3.0V, 6
SIT1602BC-31-28N-33.333300T
-20 TO 70C, 5032, 20PPM, 2.8V, 3
SIT1602BI-72-30N-40.500000E
-40 TO 85C, 2016, 25PPM, 3.0V, 4
SIT1602BI-11-28S-20.000000D
-40 TO 85C, 2520, 20PPM, 2.8V, 2
ECS-3225S30-240-FN-TR
OSC XO 24.0MHZ 3.0V HCMOS SMD
